время включения интегральной микросхемы

время включения интегральной микросхемы

 

время включения интегральной микросхемы
время включения
Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.
Обозначение
tвкл
ton
[ГОСТ 19480-89]

Тематики

  • микросхемы

Синонимы

  • время включения


Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Смотреть что такое "время включения интегральной микросхемы" в других словарях:

  • время задержки включения интегральной микросхемы — время задержки включения Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях… …   Справочник технического переводчика

  • время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Пошлина — (Duty) Содержание Содержание 1. Понятие и значение государственной Антидемпинговая пошлина как мера государственного регулирования внешнеторговой деятельности 2. Виды государственной пошлины 3. Место государственной пошлины в 4. Плательщики,… …   Энциклопедия инвестора

  • Инновация — (Innoatsiya) Определение инноваций, инновационная деятельность Определение инноваций, инновационная деятельность, инновационная политика Содержание Содержание Общее определение новаций Инновация и др. похожие понятия Что такое новация Основы… …   Энциклопедия инвестора

  • ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ — совокупность рентг. дифракц. методов изучения разл. дефектов строения в почти совершенных кристаллах. К таким дефектам относятся: блоки и границы структурных элементов, дефекты упаковки, дислокации, скопления атомов примесей. Осуществляя… …   Физическая энциклопедия

  • Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»